[发明专利]一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110657511.0 | 申请日： | 2021-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113388721B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张华;王湘粤;曾志超;李准;马春博;李豪滨 | 申请（专利权）人： | 深圳市驭能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H05K9/00;C21D1/74;C21D6/00 |
| 代理公司： | 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 518122 广东省深圳市坪山区龙田街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于无线充电技术领域，公开了一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下制备步骤：(1)将纳米晶带材在惰性气氛下进行热处理；(2)对步骤(1)热处理后的纳米晶带材进行碎磁处理；(3)对步骤(2)碎磁处理后的纳米晶带材进行气氛氧化处理，所述气氛氧化处理采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理，得到所述磁场屏蔽片。本发明方法采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理的气氛氧化工艺，可优先在碎化后的纳米晶带材缝隙生成氧化绝缘层，在提升电阻降低涡流损耗的同时，显著改善氧化处理后磁场屏蔽片的均匀性及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 屏蔽 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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