[发明专利]基于银铜合金电极的突触仿生器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110655243.9 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113549883A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;王静娟;曹刚 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/04;C23C14/30;H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 张莉静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开的是一种基于银铜合金电极的突触仿生器件及其制备方法。所述器件自下而上依次包括硅衬底、二氧化硅绝缘层、钛粘附层、铂底电极层、氧化铪膜层以及银铜合金顶电极层。本发明提供的基于银铜合金电极的器件具有形成电压和设定电压低、开关电压分布集中、响应速度快等优点。本发明器件在不同的脉冲参数下，得到了电导的突变和渐变两种现象。其还具有多种综合性突触功能，如峰值依赖性可塑性（SRDP）、成对脉冲易化（PPF）和强直后增强（PTP）。这为大规模导电桥接式记忆器件神经形态计算系统的进一步开发奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铜合金 电极 突触 仿生 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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