[发明专利]一种表面富电子的WO3有效

专利信息
申请号: 202110649217.5 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN113578311B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 高山;赵薇;杨朋鑫 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: B01J23/30 分类号: B01J23/30;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/08;C07C29/15;C07C31/04
代理公司: 合肥信诚兆佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34159 代理人: 李玉宁
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种表面富电子WO3纳米片,所述纳米片表面具有凹坑结构。本发明公开了上述表面富电子的WO3纳米片制备方法,包括以下步骤:将钨酸钠加入由去离子水和浓硝酸混合均匀的溶液中,室温搅拌12‑24h,洗涤沉淀物至中性,冷冻干燥5‑10h得到前驱体;将所得前驱体装在石英舟里并置于管式炉中,氢氩混合气氛或空气氛中升温至400‑500℃,煅烧10‑40min,得到表面富电子的WO3纳米片。本发明所得WO3纳米片能够借助光能将CO2还原为更有实用价值的甲醇和甲烷,甲醇产量可达17mol/(g·h),甲烷产量可达6.6mol/(g·h),催化活性高、稳定性好,能进行大量制备。
搜索关键词: 一种 表面 电子 wo base sub
【主权项】:
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