[发明专利]基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110645504.9 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257906B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘筱伟;刘海彬;关宇轩;向可强 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/02;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，所述ESD保护器件结构包括：衬底；隧穿晶体管，位于所述衬底上方；其中，所述隧穿晶体管具有P型掺杂的半导体层；隔离结构，位于所述隧穿晶体管两侧的所述衬底上方；深N阱，位于所述衬底和所述隧穿晶体管的半导体层之间，并通过贯穿所述隔离结构的深N阱引出端引出。通过本发明提供的基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，解决了现有ESD保护器件尺寸大、低速的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 esd 保护 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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