[发明专利]范德华异质结构存储设备和切换方法在审
| 申请号： | 202110644750.2 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113782563A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;向都;刘陶 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张威 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在范德华异质结构的第一状态和第二状态之间切换的方法，存储设备，范德华异质结构存储设备，以及制造范德华异质结构存储设备的方法。所述范德华异质结构存储设备包括第一二维材料；和第二二维材料，其中，在所述存储设备的第一存储状态中，所述第一二维材料和所述第二二维材料之间的界面包括界面态；并且其中，相比于所述第一存储状态，在所述存储设备的第二存储状态中调节界面态。 | ||
| 搜索关键词： | 范德华异质 结构 存储 设备 切换 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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