[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110643596.7 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113394268B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵宇航;胡胜;杨帆 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供具有器件区的第一晶圆，第一晶圆包括衬底和形成于衬底正面的器件层；开设沟槽于器件区的衬底背面中；形成第一绝缘介质层于沟槽的内表面和器件区的衬底背面；填充保护层于沟槽中；形成第一开口于器件区的衬底背面上的第一绝缘介质层中，第一开口暴露出保护层和沟槽开口外围的器件区的部分的衬底背面；去除保护层；形成粘合层至少于第一开口暴露出的沟槽开口外围的器件区的部分衬底背面；以及，填充金属层于沟槽和第一开口中。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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