[发明专利]双栅π型TFT光学感应器及其制作方法

摘要

本发明公开一种双栅π型TFT光学感应器及其制作方法，制作方法包括：在玻璃基板上制作栅极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上制作较厚的第一非晶硅层；光刻制程制作出Si岛，完全刻蚀掉第一非晶硅层的两侧中仅作为电子通道的部分；在Si岛及第一非晶硅层的刻蚀掉的位置连续沉积较薄的第二非晶硅层，以及欧姆接触层，使第二非晶硅层在第一非晶硅层两侧的部分形成电子通道；源漏极成膜并图案化，通过背沟道刻蚀工艺形成沟道；依次形成第一绝缘层、光栅和第二绝缘层。本发明中，π尾处的有源层与π型其他位置的有源层分开成膜、分开做图案，有利于π尾处有源层的膜厚及成分的控制，从而有利于提高器件的电学稳定性。