[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池在审
| 申请号： | 202110642153.6 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113410442A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈功锋 | 申请（专利权）人： | 恒大新能源技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/134;H01M10/0525;H01M10/42 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种硅基负极材料及其制备方法，以及一种负极片，一种二次电池。其中，硅基负极材料包括硅基内核，包覆在所述硅基内核表面的离子导体层，和包覆在所述离子导体层背离所述硅基内核表面的电子导体层，所述电子导体层包括一维导体材料和/或二维导体材料。本发明硅基负极材料中，包覆在硅基内核表面的离子导体层，离子传输速率快，可显著提升内核硅基材料的锂离子等离子脱嵌速率；包覆在外表面的电子导体层包含有一维和/或二维导体材料，可以提高硅基负极材料表面的电子传输迁移效率，同时对硅基材料起到缠绕包覆效果，抑制硅基材料的体积膨胀效应，提升硅基负极材料的容量密度、循环性能和安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 材料 及其 制备 方法 二次 电池 | ||
【主权项】：
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