[发明专利]解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式在审
| 申请号： | 202110641053.1 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115458018A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | H·陈;C·徐;李靓;田璇;张芳林;殷冠华 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于对经历相邻平面干扰的非易失性存储器的无缺陷平面进行编程的对策方法，包括：一经确定第一平面已完成当前状态的编程但其中并非全部平面均已完成编程，循环计数递增并且确定循环计数是否超过阈值。如果是，则停止编程(多个)未完成平面，并通过暂停循环计数和比特扫描模式来恢复编程(多个)完成的平面，并在下一个编程脉冲上施加预定的回滚电压以减少编程电压偏置。当循环计数最后递增时，一旦阈值电压电平等于编程电压偏置，恢复循环计数和比特扫描模式。BSPF标准适用于每个编程的状态。只有在确定编程的状态未完成时才会前进到下一个循环。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 非易失性存储器 结构 相邻 平面 干扰 条件 对策 模式 | ||
【主权项】：
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