[发明专利]基于拓扑自旋的电控磁各向异性磁性随机存储器在审
| 申请号： | 202110625863.8 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113410379A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 聂天晓;方蟾 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 盛明星 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于拓扑自旋的电控磁各向异性磁性随机存储器，包括：薄膜结构、电压源以及电流源；所述薄膜结构包括：从上到下依次叠加的顶电极层、反铁磁层、参考层、氧化物层、自由层、拓扑绝缘体层、高介电衬底以及底电极层；所述电压源的一端与所述顶电极层连接；所述电压源的另一端与所述底电极层连接；所述电流源与所述拓扑绝缘体层连接。通过电流源向拓扑绝缘体薄膜层通入电流，使得自由层铁磁薄膜的磁性翻转；铁磁磁各向异性与拓扑表面态的电压调控效应，产生自旋轨道转矩效应使得相邻自由层铁磁薄膜的磁矩发生偏转；极大地降低了自由层铁磁薄膜磁性翻转所需的阈值电流，从而实现超低功耗的信息存储。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 拓扑 自旋 电控磁 各向异性 磁性 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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