[发明专利]用于形成三维存储器件的方法有效
| 申请号： | 202110623282.0 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113410243B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次形成处于衬底上的牺牲层、处于牺牲层上的具有N阱的P型掺杂半导体层以及处于P型掺杂半导体层上的电介质堆叠体。形成垂直地延伸穿过电介质堆叠体和P型掺杂半导体层的沟道结构。利用存储堆叠体代替电介质堆叠体，使得沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠体和P型掺杂半导体层。去除衬底和牺牲层，以暴露沟道结构的末端。利用半导体插塞代替沟道结构的与P型掺杂半导体层邻接的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 三维 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110623282.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
