[发明专利]占空比调节电路、延迟锁定环电路以及半导体存储器件在审
| 申请号： | 202110621955.9 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN114079441A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 崔训对;崔佳滥 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/017 | 分类号： | H03K3/017;H03L7/081;H03L7/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了占空比调节电路和延迟锁定环电路以及包括占空比调节电路和延迟锁定环电路的半导体存储器件。占空比调节电路包括：脉冲生成器，被配置为基于频率信息产生具有恒定脉冲宽度的脉冲信号，而与参考时钟信号的频率无关；码生成器，被配置为响应于脉冲信号，通过延迟脉冲信号来产生第一预定数量的延迟脉冲信号，作为第一码；以及占空比调节器，被配置为接收延迟时钟信号，并通过响应于第一码和第二码而调节延迟时钟信号的上升沿的斜率和下降沿的斜率来产生占空比校正时钟信号。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 电路 延迟 锁定 以及 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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