[发明专利]一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202110616418.5 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113066913A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王苏杰;林晓珊;宁如光;杨祺;熊欢;陈振宇;吴礼清;潘彬;王向武;张银桥 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明还公开了LED薄膜芯片的制备方法。本发明直接在N型粗化层上制备欧姆接触，有效简化了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片制备工艺，降低生产成本的同时解决了业界普遍采用n |
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| 搜索关键词： | 一种 面出光 algainpled 薄膜 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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