[发明专利]一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构有效
| 申请号： | 202110614947.1 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113363362B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;吴永胜;解向荣;曹鑫 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 张明;柯玉珊 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构，在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层；本发明在缓冲层晶胞远离缓冲层的一侧上生长预备2D层，预备2D层能够填平缓冲层上的晶胞间隙，使得缓冲层生长有预备2D层的一侧形成较大的平台，在此基础上继续生长的3D层和2D层晶体更加规整，使得之后生长的N型氮化镓结构规整，从而实现质量提高，克服现有大规格衬底上晶胞间隙小，2D层和3D层的受间隙影响不规整导致N型氮化镓层生长质量低的问题，特别适用于在大规格衬底上生长高质量的外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 生长 外延 结构 方法 | ||
【主权项】：
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