[发明专利]量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜在审

专利信息
申请号: 202110613846.2 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN115440901A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 周礼宽;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜。量子点发光二极管器件包括第一电极、第二电极以及量子点发光层。量子点发光层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。其中,所述量子点发光层包括第一量子点和第二量子点,所述第一量子点的光致发光峰值波长与所述第二量子点的光致发光峰值波长之差的绝对值小于或者等于10nm。本申请的发光器件能够利用两种光电性能相近的量子点制造,从而降低了工艺难度,提高了生产效率。
搜索关键词: 量子 发光二极管 器件 制造 方法 以及
【主权项】:
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