[发明专利]抑制Al-Ni纳米多层膜相变过程有序金属间化合物生成的方法有效
| 申请号： | 202110609168.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113481467B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘斌斌;叶丰;乔祎;于相江;张蕾;尤力;刘彩云 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/14;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种通过添加过渡层抑制Al‑Ni纳米多层薄膜相变过程中有序金属间化合物生成的方法。根据使用环境的需求，引入可以与Al或Ni发生自蔓延反应的材料如Cu、Ti等作为过渡层，进而通过过渡层厚度的设计使之与未引入过渡层的初始薄膜的厚度相匹配，不改变薄膜最终的稳定相产物；采用磁控溅射等镀膜工艺制备周期为Al/X/Ni/X，总厚度可调的复合薄膜，在抑制室温Al和Ni元素互扩散、保证存储稳定的基础上，进一步抑制了相变过程中初始Al |
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| 搜索关键词： | 抑制 al ni 纳米 多层 相变 过程 有序 金属 化合物 生成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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