[发明专利]一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法在审
| 申请号： | 202110608495.6 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113466792A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杨树;盛况;张瀚元;周炳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;宁波海特创电控有限公司 |
| 主分类号： | G01S5/18 | 分类号： | G01S5/18 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 杨琪宇 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法，所述氮化镓场效应传感器具有参比电极、源极和漏极，所述定位方法包括：检测参比电极与源极和漏极之间漏电是否小于阈值，如果超过阈值则判定由封装质量主导低频噪声来源；否则对参比电极上漏电和源极与漏极之间沟道电流做相关性检测，如果相关性大于预设值，则判定由参比电极主导低频噪声来源；否则检测不同参比电极电压下漏极和源极沟道电流的噪声频谱，如果噪声频谱与点比电极电压与开启电压的差值成正比，那么判定由沟道中载流子迁移率散射作用主导低频噪声，否则是由载流子数量变化作用主导低频噪声来源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化 场效应 传感器 低频 噪声 定位 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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