[发明专利]一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110605703.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113363383B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王琦;王正;鲜林燕;贺德衍 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饶小平 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中，通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制，而不是瞬间从高阻态变成低阻态，在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变，并且不会达到限流，能实现优异的突触可塑性，如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值，这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变层 材料 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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