[发明专利]一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变层材料，其特征在于，包括：羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。

2.根据权利要求1所述的阻变层材料，其特征在于，还包括溶剂。

3.根据权利要求2所述的阻变层材料，其特征在于，所述溶剂包括：去离子水。

4.根据权利要求1～3任一项所述的阻变层材料，其特征在于，按重量份数计，包括：羧化壳聚糖6-54份、聚乙烯醇6-54份和硝酸铵40份，其中，羧化壳聚糖和聚乙烯醇的重量份数之和为60份。

5.根据权利要求1～3任一项所述的阻变层材料，其特征在于，按重量份数计，包括：羧化壳聚糖36份、聚乙烯醇24份和硝酸铵40份；或者羧化壳聚糖48份、聚乙烯醇12份和硝酸铵40份。

6.权利要求1～5任一项所述的阻变层材料的制备方法，其特征在于，包括：将羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵溶于去离子水中，得到所述阻变层材料。

7.根据权利要求6所述的阻变层材料的制备方法，其特征在于，每10mL去离子水中加入6～54mg羧化壳聚糖、6～54mg聚乙烯醇和40mg硝酸铵，其中羧化壳聚糖和聚乙烯醇的重量值和为60mg。

8.根据权利要求6所述的阻变层材料的制备方法，其特征在于，每10mL去离子水中加入36mg羧化壳聚糖、24mg聚乙烯醇和40mg硝酸铵；或者每10mL去离子水中加入48mg羧化壳聚糖、12mg聚乙烯醇和40mg硝酸铵。

9.一种忆阻器，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的阻变层材料形成的阻变层。

10.根据权利要求9所述的忆阻器，其特征在于，包括：第一电极、所述阻变层和第二电极。

11.根据权利要求10所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极包括W电极，所述第二电极包括Ag电极，所述第一电极的厚度为50～100nm，所述阻变层的厚度为200～500nm，所述第二电极的厚度为50～100nm。

12.权利要求10或11所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成所述第一电极；

在所述第一电极上形成所述阻变层；

在所述阻变层上形成所述第二电极，

13.根据权利要求12所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发工艺或溅射工艺形成所述第一电极和第二电极，采用旋涂工艺形成所述阻变层。