[发明专利]晶圆减薄加工方法在审
| 申请号： | 202110604117.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380613A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李荣;邵滋人;肖龙 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆减薄加工方法。本发明的晶圆减薄加工方法，包括以下步骤，首先在晶圆的正面贴附研磨胶膜层，将贴附有研磨胶膜层的晶圆正面吸附在研磨台面上，且研磨台面的外径与晶圆正面的外径适配，然后对晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度，再在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层，并在胶膜层上贴附铁圈，最后将铁圈固定在晶圆架上，去除晶圆正面的研磨胶膜层。本发明的晶圆减薄加工方法，研磨台面的直径与晶圆正面的外径相当，晶圆研磨时晶圆正面的金属层完全吸附在研磨台面上，解决了晶圆研磨时的破裂问题及研磨时表面焦黑的问题，且减少了机台的异常处理时间，提高了机台的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
