[发明专利]晶圆减薄加工方法在审
| 申请号： | 202110604117.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380613A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李荣;邵滋人;肖龙 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 加工 方法 | ||
1.一种晶圆减薄加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10提供晶圆，所述晶圆包括：正面的金属层和背面的硅层，且所述金属层的边缘设有台阶；
S20在晶圆的正面贴附研磨胶膜层；
S30使贴附有研磨胶膜层的晶圆的正面吸附在研磨台面上，且研磨台面的外径与晶圆正面的外径适配；
S40对晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度；
S50在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层，并在胶膜层上贴附铁圈；
S60将铁圈固定在晶圆架上，去除晶圆正面的研磨胶膜层。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，在步骤S40中，具体包括：
S41对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行粗磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+60μm；
S42对粗磨后的晶圆的背面进行精磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+2μm；
S43对精磨后的晶圆的背面进行抛光，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，在步骤S20中，所述研磨胶膜层为UV胶膜。
4.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，在步骤S50中，所述胶膜层为DAF胶膜。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，在步骤S10中，提供晶圆，所述晶圆的正面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，且所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
