[发明专利]一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺

摘要

本发明适用太阳能电池技术领域，提供了一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，包括将N型单晶硅片进行制绒、抛光、背面生长隧穿氧化层、背面沉积P型/N型掺杂多晶硅、正面磷扩散、正面沉积减反射层、背面沉积钝化层；在P型/N型掺杂多晶硅印刷栅线位置利用激光消融刻蚀钝化层以形成凹槽；利用银浆一次性在P型/N型掺杂多晶硅对应凹槽丝网印刷栅线；低温烧结得到电池成品，烧结温度为400～690℃。本发明的具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺通过在P型/N型掺杂多晶硅印刷栅线位置利用激光消融刻蚀凹槽，利用低温烧结即可实现栅线与多晶硅欧姆接触，避免对多晶硅及隧穿氧化层破坏，确保电池钝化效果，且减少栅线区域的金属诱导复合，提高电池效率。