[发明专利]钝化层蚀刻的改进方法在审
| 申请号： | 202110592270.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN115410913A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赵伟;任冬华;王长山;郝建英;赵兵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种钝化层蚀刻的改进方法，包括：步骤A，获取晶圆结构；所述晶圆结构包括衬底、衬底上的金属结构以及覆盖所述金属结构的钝化层；步骤B，光刻形成蚀刻窗口；步骤C，通过所述蚀刻窗口以第一射频功率干法蚀刻所述钝化层，在蚀刻至所述金属结构前停止；步骤D，通过所述蚀刻窗口以第二射频功率继续向下进行干法蚀刻，直至蚀刻至所述金属结构；所述第二射频功率小于所述第一射频功率。本发明在钝化层蚀刻至所述金属结构前，降低干法蚀刻的射频功率，从而能够降低干法蚀刻的等离子体开始接触到金属结构时的等离子体电荷密度，改善等离子体损伤，避免等离子体损伤导致器件开启电压异常。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 蚀刻 改进 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110592270.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
