[发明专利]避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法在审
| 申请号： | 202110591245.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327886A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吴一姗;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，包括：提供一包括存储区和外围区的衬底，在所述存储区形成至少两个栅极结构；形成侧墙于所述存储区的栅极结构的侧壁上；形成第一层间介质于所述衬底上，所述第一层间介质填充进所述存储区的栅极结构之间，其中，所述存储区的栅极结构之间填充的所述第一层间介质中存在缝隙；蚀刻去除部分所述第一层间介质，仅保留所述存储区的所述栅极结构之间的下部的所述第一层间介质；形成第二层间介质于所述衬底上，所述第二层间介质填充进所述存储区的所述栅极结构之间。本发明的技术方案使得在空气间隙形成工艺的过程中不会有介质材料残留，以避免介质材料残留对最终器件对应位置的电容耦合干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 介质 填充 过程 形成 缝隙 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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