[发明专利]避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法

权利要求书

1.一种避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，包括：

S1：提供一包括存储区和外围区的衬底，在所述存储区形成至少两个栅极结构，在所述外围区形成至少一个栅极结构；

S2：形成侧墙于所述存储区的栅极结构的侧壁上以及所述外围区的栅极结构的侧壁上；

S3：形成第一层间介质于所述衬底上，所述第一层间介质填充进所述存储区的栅极结构之间，且所述第一层间介质覆盖所述存储区的所述栅极结构和所述侧墙，所述第一层间介质包裹所述外围区的所述栅极结构和所述侧墙，其中，所述存储区的栅极结构之间填充的所述第一层间介质中存在缝隙；

S4：蚀刻去除部分所述第一层间介质，仅保留所述存储区的所述栅极结构之间的下部的所述第一层间介质；

S5：形成第二层间介质于所述衬底上，所述第二层间介质填充进所述存储区的所述栅极结构之间并覆盖所述栅极结构和所述侧墙，同时所述第二层间介质包裹所述外围区的所述栅极结构和所述侧墙。

2.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S4还包括去除所述存储区上的所述栅极结构侧壁上的部分厚度，以使得相邻的所述栅极结构之间的顶部间距增大。

3.如权利要求2所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，形成的所述存储区的所述栅极结构的宽度呈由顶部往下一部分距离处逐渐增大，即所述栅极结构的顶部呈梯形。

4.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S4中所述存储区的栅极结构之间的层间介质保留高度为所述栅极结构高度的1/3～2/3。

5.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S4中，所述外围区的栅极结构周围的所述第一层间介质被完全蚀刻掉。

6.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S4中蚀刻采用的方法为干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S4中蚀刻采用的方法为湿法刻蚀。

8.如权利要求1所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S1中的所述栅极结构自下而上包括浮栅层、栅间介质层、控制栅层。

9.如权利要求所述的避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，其特征在于，所述S2中所述侧墙的材料为氮化硅。