[发明专利]非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法在审
| 申请号: | 202110587842.1 | 申请日: | 2021-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN115413211A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 余盈荧;巩倩;李清文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;C23C16/26;C23C14/30;C23C14/18;C23C28/00 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法。所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜包括依次形成于碳纳米管层表面的作为缓冲层的非晶碳层以及金属层,所述碳纳米管层与非晶碳层的接触面形成第一界面,所述非晶碳层和金属层的接触面形成第二界面,所述金属层远离非晶碳层的一面为第三界面,所述第一界面、第二界面与第三界面均具有至少一个凸起结构和至少一个下凹结构。本发明通过非晶碳的选择性沉积显著优化了CNT薄膜的表面粗糙度,使得接触界面区域大大降低,降低了界面接触电阻,提升了薄膜的电导率,进而提升了金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的电磁屏蔽性能。 | ||
| 搜索关键词: | 非晶碳层 诱导 金属化 纳米 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110587842.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。





