[发明专利]非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法

权利要求书

1.一种非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜，其特征在于包括依次形成于碳纳米管层表面的作为缓冲层的非晶碳层以及金属层，所述碳纳米管层与非晶碳层的接触面形成第一界面，所述非晶碳层和金属层的接触面形成第二界面，所述金属层远离非晶碳层的一面为第三界面，所述第一界面、第二界面与第三界面均具有至少一个凸起结构和至少一个下凹结构，且所述第一界面中凸起结构和下凹结构的曲率大于第二界面中凸起结构和下凹结构的曲率，所述第二界面中凸起结构和下凹结构的曲率大于第三界面中凸起结构和下凹结构的曲率。

2.根据权利要求1所述的非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜，其特征在于：所述第一界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为10.0～15.0μm；

和/或，所述第一界面中的凸起结构和下凹结构平滑连接形成波纹结构；

和/或，所述第二界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为2.0～4.0μm；

和/或，所述第二界面中的凸起结构和下凹结构平滑连接形成波纹结构；

和/或，所述第三界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为0.2～1.0μm；

和/或，所述第二界面中的凸起结构和下凹结构平滑连接形成波纹结构；

和/或，所述金属层的厚度为100～400nm；

和/或，所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的厚度为7～10μm。

3.根据权利要求1所述的非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜，其特征在于：所述金属层中所含金属元素包括Au、Ag、Ni、Ti中的任意一种或两种以上的组合，优选包括Au、Ag、Cu中的任意一种或两种以上的组合；

和/或，所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的电导率为1.0×10⁵～10.5×10⁵S/m，电磁屏蔽性能50～80dB。

4.权利要求1-3中任一项所述的非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于包括：

提供作为碳纳米管层的碳纳米管薄膜；

采用化学气相沉积法在所述碳纳米管薄膜表面沉积形成非晶碳层；

以及，采用电子束蒸镀的方式在所述非晶碳层表面形成金属层，从而获得非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于具体包括：

将所述碳纳米管薄膜置于化学气相沉积设备的反应腔室中，并至少向反应腔室内通入碳源，之后于950～1100℃的条件下生长5～20min，从而在所述碳纳米管薄膜表面沉积形成所述非晶碳层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于具体包括：将所述碳纳米管薄膜置于化学气相沉积设备的反应腔室中，并至少向反应腔室内通入碳源，之后于1000～1050℃的条件下生长0～20min，从而在所述碳纳米管薄膜表面沉积形成所述非晶碳层；

和/或，所述碳源包括甲烷、乙烯、乙醇中的任意一种或两种以上的组合，优选为甲烷；优选的，向所述反应腔室通入所述碳源的速率为5～50sccm。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述电子束蒸镀采用的电子束蒸镀速率为

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述碳纳米管薄膜能够连续成膜，且所述碳纳米管薄膜表面的线条粗糙度为10～15μm。

9.权利要求1-3中任一项所述的非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜于制备电磁屏蔽材料中的用途。

10.一种电磁屏蔽材料，其特征在于包括权利要求1-3中任一项所述的非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜。