[发明专利]提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110585784.9 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113540300B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;梅劲;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。第一氮气对衬底的表面进行氮化处理并增强衬底的表面稳定性。再通入5～20sccm的Al源，减小附着物掉落到衬底上的可能性。第一氢气有刻蚀的作用，可以起到清洁衬底和去除反应腔的内壁的部分粘附力不强的氧化物的作用，减小衬底上的杂质并使反应腔内壁上部分粘附不稳定的附着物掉落，伴随废气一起排出反应腔。第二氮气与第二氢气则可以起到清理衬底的表面的掉落物以及进一步清理反应腔的内壁上的附着物的作用。最终有效提高衬底的表面的质量的同时，大幅度减小了反应腔的内壁上的附着物掉落的可能性，提高最终得到的发光二极管外延片的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 表面 平整 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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