[发明专利]光传感器及其感测方法在审

专利信息
申请号: 202110584464.1 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113923384A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 印秉宏;王佳祥 申请(专利权)人: 广州印芯半导体技术有限公司
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/378;G01J1/42;G01J1/44;G01S11/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;刘芳
地址: 510710 广东省广州市黄*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种光传感器及其感测方法。光传感器包括多个感测子像素以及控制电路。所述多个感测子像素阵列排列以形成感测阵列。控制电路耦接所述多个感测子像素,所述控制电路将所述多个感测子像素的多个二极管操作在光电二极管模式,以感测环境光强度,并且所述控制电路依据所述环境光强度将所述多个二极管操作在盖革模式或突崩线性模式。本发明的光传感器及其感测方法可有效进行测距感测。
搜索关键词: 传感器 及其 方法
【主权项】:
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