[发明专利]光传感器及其感测方法

说明书

本发明提供一种光传感器及其感测方法。光传感器包括多个感测子像素以及控制电路。所述多个感测子像素阵列排列以形成感测阵列。控制电路耦接所述多个感测子像素，所述控制电路将所述多个感测子像素的多个二极管操作在光电二极管模式，以感测环境光强度，并且所述控制电路依据所述环境光强度将所述多个二极管操作在盖革模式或突崩线性模式。本发明的光传感器及其感测方法可有效进行测距感测。

技术领域

本发明涉及一种感测技术，尤其涉及一种光传感器及其感测方法。

背景技术

目前，高敏感度的测距传感器在各应用领域例如医疗领域或车用领域中都非常多需求应用。特别是，可用于感测极弱光的光传感器是目前主要传感器设计方向之一。有鉴于此，如何提出一种可有效地感测极弱光并具有高精确度以及极高可靠度的光传感器，以下将提出几个实施例的解决方案。

发明内容

本发明是针对一种光传感器及其感测方法，可通过操作二极管在盖革模式或突崩线性模式下来进行测距感测。

根据本发明的实施例，本发明的光传感器包括多个感测子像素以及控制电路。所述多个感测子像素阵列排列以形成感测阵列。控制电路耦接所述多个感测子像素，所述控制电路将所述多个感测子像素的多个二极管操作在光电二极管模式，以感测环境光强度，并且所述控制电路依据所述环境光强度将所述多个二极管操作在盖革模式或突崩线性模式。

根据本发明的实施例，本发明的感测方法适用于光传感器。所述光传感器包括多个感测子像素以及控制电路。所述感测方法包括：通过所述控制电路将所述多个感测子像素的多个二极管操作在光电二极管模式，以感测环境光强度；以及通过所述控制电路依据所述环境光强度将所述多个二极管操作在盖革模式或突崩线性模式。

基于上述，本发明的光传感器及其感测方法，可通过二极管操作在光电二极管模式下的环境光强度感测结果决定将二极管操作在盖革模式或突崩线性模式，以有效进行测距感测。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的光传感器的架构示意图；

图2是本发明的一实施例的感测阵列的示意图；

图3是本发明的一实施例的感测方法的流程图；

图4是本发明的一实施例的二极管的特性曲线图；

图5是本发明的一实施例的感测子像素的电路示意图；

图6是本发明的另一实施例的感测子像素的电路示意图；

图7A是本发明的一实施例的感测信号的信号波形曲线的示意图；

图7B是本发明的一实施例的参考信号波形曲线的示意图；

图7C是本发明的一实施例的校正后的信号波形曲线的示意图；

图7D是本发明的另一实施例的感测信号的信号波形曲线的示意图；

图8是本发明的一实施例的光传感器的操作时序图。

附图标记说明

100:光传感器；

110:控制电路；

120:感测阵列；

121_1～121_N、121_A、121_B、121_C、121_D、500、600:感测子像素；

122:感测像素；

130:光源；

S310～S390:步骤；

V_SPAD:崩溃电压；