[发明专利]融合二次电子和背散射电子图像的区域生长孔隙识别方法在审

专利信息
申请号: 202110582111.8 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113191330A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 郭伟;何法;王诗玉;雷湘湘;张昊天;刘茂鑫 申请(专利权)人: 宜宾学院
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;G06K9/46
代理公司: 重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙) 50220 代理人: 吴迪
地址: 644000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了融合二次电子和背散射电子图像的区域生长孔隙识别方法,包括以下步骤,图像采集:分别采集选定分析区域的背散射图像和二次电子图像;图像预处理:分别对背散射图像和二次电子图像进行灰度校正;孔隙识别:根据二次电子图像和或背散射电子图像成像响应差异构建区域生长算法的停止生长模型;在二维平面上分别判断各个像素点与周围像素点的连通性,归并区块完成分析区域孔隙识别;通过构建区域生长算法停止生长的数学模型,提高区域生长算法孔隙识别的精度,实现了扫描电镜页岩孔隙的高精度识别,在区分孔隙和基质方面具有较好的效果,大大提高了区域生长算法识别孔隙的可行性,并能够取得较高的识别结果。
搜索关键词: 融合 二次电子 散射 电子 图像 区域 生长 孔隙 识别 方法
【主权项】:
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