[发明专利]一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法在审

专利信息
申请号: 202110579657.8 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113372123A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 曾探;王志强;盛明亮;石煜;曾墩风;陶成 申请(专利权)人: 芜湖映日科技股份有限公司
主分类号: C04B35/64 分类号: C04B35/64;C04B35/457;C23C14/35;F27B17/00;F27D7/06
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 杨静
地址: 241000 安徽省芜湖市中国(安徽)自*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法,先将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中,并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧,得到氧化锡粉;之后将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上;最后将氧化锡粉通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上,并将ITO平面靶材进行放置后垫烧;采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产,使其不与氧化锡粉容易产生反应;并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片,从而提高了生产的质量。
搜索关键词: 一种 提高 ito 平面 利用率 方法
【主权项】:
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