[发明专利]一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法

权利要求书

1.一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：首先，将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中，并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化锡粉末；之后，将纯度大于95%的氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上；最后，将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧。

2.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：氧气气氛常压炉内的煅烧温度为1600-1650度并且由常温升至最高温度，升温的时间为20-25h，保温的时间为5-10h，且得到氧化锡粉末的D50控制在70-100μm。

3.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：氧化铝垫片的尺寸大小和厚度一致，公差±0.1mm。

4.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：不锈钢筛格采用的规格为120目。

5.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。

6.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：氧化锡粉末采用少量薄层的方式洒落在氧化铝垫片上。