[发明专利]一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法在审
申请号: | 202110579657.8 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113372123A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 曾探;王志强;盛明亮;石煜;曾墩风;陶成 | 申请(专利权)人: | 芜湖映日科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64;C04B35/457;C23C14/35;F27B17/00;F27D7/06 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市中国(安徽)自*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 ito 平面 利用率 方法 | ||
本发明提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法,先将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中,并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧,得到氧化锡粉;之后将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上;最后将氧化锡粉通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上,并将ITO平面靶材进行放置后垫烧;采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产,使其不与氧化锡粉容易产生反应;并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片,从而提高了生产的质量。
技术领域
本发明涉及ITO平面靶材生产技术领域,尤其涉及一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法。
背景技术
ITO平面靶材属于铟锡复合氧化物陶瓷,是一种重要的光电功能材料,常作为磁控溅射靶材在玻璃、塑料等基板材料上制备透明导电膜,用于生产液晶显示器、触摸屏等平板显示设备。
中国专利文献CN108530055A,公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法,采用承烧板、莫来石垫片、瓷球和ITO平面靶坯的结构进行生产;这种生产方式容易造成靶材承烧面,因高温烧结,靶材软化,瓷球嵌入靶材,造成大面积凹坑,从而增加了靶材的磨削量,大大的提高了生产成本。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法,先将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中,并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧,得到氧化锡粉;之后将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上;最后将氧化锡粉通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上,并将ITO平面靶材进行放置后垫烧;采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产,使其不与氧化锡粉容易产生反应;并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片,从而提高了生产的质量。
为解决上述问题,本发明提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法,首先,将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中,并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧,得到氧化锡粉末;之后,将纯度大于95%的氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上;最后,将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上,并将ITO平面靶材进行放置后垫烧。
进一步改进在于:氧气气氛常压炉内的煅烧温度为1600-1650度并且由常温升至最高温度,升温的时间为20-25h,保温的时间为5-10h,且得到氧化锡粉末的D50控制在70-100μm。
进一步改进在于:氧化铝垫片的尺寸大小和厚度一致,公差±0.1mm。
进一步改进在于:不锈钢筛格采用的规格为120目。
进一步改进在于:将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测,并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。
进一步改进在于:氧化锡粉末采用少量薄层的方式洒落在氧化铝垫片上。
本发明的有益效果:通过将氧化锡粉放置到氧气气氛常压炉内煅烧,得到氧化粉末;并将纯度大于95%氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上,将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上,并将ITO平面靶材进行放置后垫烧;采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产,使其不容易与氧化锡粉末产生反应;并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片,从而提高了生产的质量。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。
本实施例提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法,包括以下步骤:
步骤一:将氧化锡粉提前放置到能承受1800°C的高温容器中,并将高温容器放置到氧气气氛常压炉内进行煅烧,得到氧化锡粉末,煅烧温度为1600-1650度并且由常温升至最高温度;
步骤二:将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上,氧化铝垫片的纯度大于95%,且尺寸大小和厚度一致,公差±0.1mm;
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