[发明专利]一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路有效
| 申请号： | 202110579129.2 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113359941B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 余占清;张伟;牟亚;陈世萍;严鑫 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张迎新;史光伟 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路，所述MOS管电阻电路包括共源共栅电流镜控制电路以及与所述共源共栅电流镜控制电路连接的MOS管组；所述共源共栅电流镜控制电路包括多个晶体管；所述MOS管组包括P沟道的PMOS管和N沟道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源极相连，所述PMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的一段镜像支路连接，所述NMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的另一段镜像支路连接。本发明相对于其他解决方案而言，具有高跨阻增益倍数、高精度、高线性度、低噪声、低功耗、体积小等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 信号 放大 mos 电阻 及其 偏置 电路 | ||
【主权项】：
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