[发明专利]一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路

权利要求书

1.一种用于信号放大的MOS管电阻电路，其特征在于，所述MOS管电阻电路包括共源共栅电流镜控制电路以及与所述共源共栅电流镜控制电路连接的MOS管组；

所述共源共栅电流镜控制电路包括多个晶体管；

所述MOS管组包括P沟道的PMOS管和N沟道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源极相连，所述PMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的一段镜像支路连接，所述NMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的另一段镜像支路连接；

所述共源共栅电流镜控制电路包括两段被控支路，所述MOS管电阻电路包括两组所述MOS管组，两组所述MOS管组与两段所述被控支路一一对应连接；

所述共源共栅电流镜控制电路中的每段镜像支路分别包括用于调节所述镜像支路电流的第一晶体管；

每段所述被控支路位于所述镜像支路内的电路分别包括第二晶体管，每组所述MOS管组中的所述PMOS管和所述NMOS管分别与两个所述第二晶体管一一对应连接；

所述MOS管电阻电路用于通过调节所述第一晶体管尺寸参数，改变所述第一晶体管所在镜像支路电流大小，使所述被控支路电流大小改变，通过改变与所述被控支路上第二晶体管连接的MOS管组的直流工作电流，调节MOS管形成的电阻的工作状态，调节MOS电阻的实际小信号电阻大小。

2.如权利要求1所述的用于信号放大的MOS管电阻电路，其特征在于，所述PMOS管的栅极与其中一所述镜像支路的所述第二晶体管的栅极和漏极连接，所述PMOS管的漏极与所述第二晶体管的源极连接；所述NMOS管的栅极与另一所述镜像支路的所述第二晶体管的栅极和漏极连接，所述NMOS管的漏极与所述第二晶体管的源极连接。

3.如权利要求1所述的用于信号放大的MOS管电阻电路，其特征在于，所述晶体管为MOS管。

4.一种用于信号放大的MOS管电阻偏置电路，其特征在于，包括：共源共栅电流镜控制电路、电流信号产生电路以及信号放大电路，所述信号放大电路包括与所述共源共栅电流镜控制电路连接的MOS管组，所述共源共栅电流镜控制电路包括多个晶体管；所述电流信号产生电路与所述共源共栅电流镜控制电路以及所述信号放大电路电性连接；所述MOS管组包括P沟道的PMOS管和N沟道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源极相连，所述PMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的一段镜像支路连接，所述NMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的另一段镜像支路连接；

所述共源共栅电流镜控制电路包括两段被控支路，所述MOS管组的数量为两组，两组所述MOS管组与两段所述被控支路一一对应连接；

所述共源共栅电流镜控制电路中的每段镜像支路分别包括用于调节所述镜像支路电流的第一晶体管；

每段所述被控支路位于所述镜像支路内的电路分别包括第二晶体管，每组所述MOS管组中的所述PMOS管和所述NMOS管分别与两个所述第二晶体管一一对应连接；

所述MOS管电阻偏置电路用于通过调节所述第一晶体管尺寸参数，改变所述第一晶体管所在镜像支路电流大小，使所述被控支路电流大小改变，通过改变与所述被控支路上第二晶体管连接的MOS管组的直流工作电流，调节MOS管形成的电阻的工作状态，调节MOS电阻的实际小信号电阻大小。

5.如权利要求4所述的用于信号放大的MOS管电阻偏置电路，其特征在于，所述信号放大电路包括第一运算放大器；所述第一运算放大器的输入端与所述NMOS管的漏极连接，所述第一运算放大器的输出端与所述PMOS管的漏极连接。

6.如权利要求5所述的用于信号放大的MOS管电阻偏置电路，其特征在于，两组所述MOS管组分别为第一MOS管组和第二MOS管组；在所述第一MOS管组中，所述NMOS管的漏极与所述第一运算放大器的输入端正引脚连接，所述PMOS管的漏极与所述第一运算放大器的输出端负引脚连接；在所述第二MOS管组中，所述NMOS管的漏极与所述第一运算放大器的输入端负引脚连接，所述PMOS管的漏极与所述第一运算放大器的输出端正引脚连接。