[发明专利]一种高效率低损耗硅太阳能电池片

摘要

本发明公开了一种高效率低损耗硅太阳能电池片，包括基体片、栅线，基体片包括N型半导体层、P型半导体层、PN结层、氧化铝钝化层、氧化硅减反层，N型半导体层的底表面配置有二氧化硅隧穿层，二氧化硅隧穿层的底表面配置有N型钝化层，N性钝化层的底表面配置有氮化硅减反层，氮化硅减反层的底部表面配置有背电极，氮化硅减反层的底表面边侧设置有对位标记。本发明所提供的太阳能电池片结构较为简单、易于生产制造，通过POF膜可以对太阳能电池片进行有效的防护，氧化铝钝化层和二氧化硅隧穿层提高太阳能电池片的性能，具有可靠性能高、效率高、低损耗等优点，采用该对位标记使背电极印刷时对位更准确，降低了太阳能电池片印刷偏移的几率。