[发明专利]绝缘膜的蚀刻方法、利用其的显示装置的制造方法以及显示装置在审
| 申请号： | 202110571713.3 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114122257A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金大洙;丁有光;赵晟原 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及绝缘膜的蚀刻方法、利用其的显示装置的制造方法以及显示装置，根据一实施例的绝缘膜的蚀刻方法包括：在基板之上依次形成第一栅极绝缘膜、非晶硅层、第一层间绝缘膜及第二层间绝缘膜的步骤；在第二层间绝缘膜之上涂布光致抗蚀剂，通过光刻工艺将光致抗蚀剂图案化的步骤；将图案化的光致抗蚀剂用作掩模，蚀刻第二层间绝缘膜及第一层间绝缘膜直至非晶硅层的至少一部分暴露的第一蚀刻步骤；蚀刻第二层间绝缘膜及第一层间绝缘膜的第二蚀刻步骤；蚀刻非晶硅层的第三蚀刻步骤；及蚀刻第一栅极绝缘膜的第四蚀刻步骤，第二蚀刻步骤中使用的蚀刻气体包括第一及第二层间绝缘膜相对于非晶硅层的蚀刻选择比高于第一蚀刻步骤中使用的蚀刻气体的物质。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 蚀刻 方法 利用 显示装置 制造 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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