[发明专利]神经元的膜电位更新方法、类脑神经元器件、处理核在审
| 申请号： | 202110566892.1 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113240102A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 吴臻志;唐超 | 申请（专利权）人： | 北京灵汐科技有限公司 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;吴俣 |
| 地址： | 100080 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种神经元的膜电位更新方法，包括：响应于神经元接收到输入脉冲，获取所述神经元在本次接收到输入脉冲的时刻与在上一次接收到输入脉冲的时刻之间的当前输入时间差；根据所述当前输入时间差和预设泄漏计算模型计算出所述神经元在当前时刻的历史膜电位；根据所述历史膜电位和所述神经元在本次所接收到的输入脉冲计算所述神经元的当前时刻膜电位。本公开还提供了一种类脑神经元器件、处理核、神经形态芯片、电子设备、计算机可读介质。 | ||
| 搜索关键词： | 神经元 膜电位 更新 方法 脑神经 元器件 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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