[发明专利]一种二极管触发的双向SCR器件在审

专利信息
申请号: 202110559912.2 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113421924A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 杨兆年;毛盼;杨潇涵;袁璐;王兴佳;余宁梅 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 戴媛
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种二极管触发的双向SCR器件,P型衬底上设有深N阱,在深N阱上依次设有第一P阱、N阱、第二P阱,第一P阱上表面开有沟槽一,第一P阱、N阱交界处开有沟槽二,N阱、第二P阱交界处开有沟槽三,第二P阱上表面开有沟槽四;沟槽一两边是第一P+注入区和第一N+注入区,沟槽二两边是第一N+注入区和第二N+注入区,沟槽三两边是第二N+注入区和第三N+注入区,沟槽四两边是第三N+注入区和第二P+注入区;第一P+注入区、第一N+注入区与阳极相连,第三N+注入区、第二P+注入区与阴极相连;第二N+注入区通过二极管串DS0连接二极管D3、二极管D4。本发明SCR器件触发速度快。
搜索关键词: 一种 二极管 触发 双向 scr 器件
【主权项】:
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