[发明专利]一种二极管触发的双向SCR器件在审
| 申请号： | 202110559912.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113421924A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨兆年;毛盼;杨潇涵;袁璐;王兴佳;余宁梅 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 戴媛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 触发 双向 scr 器件 | ||
1.一种二极管触发的双向SCR器件，其特征在于：包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上表面设置有深N阱(2)，在深N阱(2)上表面沿纵向依次设置有第一P阱(3)、N阱(4)、第二P阱(5)，第一P阱(3)上表面开有沟槽一(6)，第一P阱(3)、N阱(4)的交界处开有沟槽二(7)，N阱(4)、第二P阱(5)的交界处开有沟槽三(8)，第二P阱(5)上表面开有沟槽四(9)；沟槽一(6)两边分别是第一P+注入区(10)和第一N+注入区(11)，沟槽二(7)两边分别是第一N+注入区(11)和第二N+注入区(12)，沟槽三(8)两边分别是第二N+注入区(12)和第三N+注入区(13)，沟槽四(9)两边分别是第三N+注入区(13)和第二P+注入区(14)；第一P+注入区(10)和第一N+注入区(11)位于第一P阱(3)上表面，第二N+注入区(12)位于N阱(4)上表面，第三N+注入区(13)和第二P+注入区(14)位于第二P阱(5)上表面；
第一P+注入区(10)、第一N+注入区(11)与器件阳极相连，第三N+注入区(13)、第二P+注入区(14)与器件阴极相连；第二N+注入区(12)连接二极管串DS0的阳极，二极管串DS0的阴极连接二极管D3、二极管D4的阳级，二极管D4阴极与器件阳极相连，二极管D3阴极与器件阴极相连。
2.根据权利要求1所述的二极管触发的双向SCR器件，其特征在于：所述的第一P阱(3)中的第一P+注入区(10)与第一N+注入区(11)采用并排的方式布局；第二P阱(5)中第三N+注入区(13)与第二P+注入区(14)也采用并排的方式布局。
3.根据权利要求1所述的二极管触发的双向SCR器件，其特征在于：所述的第一P阱(3)中的第一P+注入区(10)与第一N+注入区(11)采用并列的方式布局，即与沟槽二(7)并列；第二P阱(5)中第三N+注入区(13)与第二P+注入区(14)也采用并列的方式布局，即与沟槽三(8)并列。
4.根据权利要求1所述的二极管触发的双向SCR器件，其特征在于：所述的第一P阱(3)、N阱(4)和第二P阱(5)构成双极晶体管PNP1；N阱(4)、第二P阱(5)和第三N+注入区(13)构成双极晶体管NPN1；N阱(4)、第二P阱(5)和第一N+注入区(11)构成双极晶体管NPN2。
5.根据权利要求1所述的二极管触发的双向SCR器件，其特征在于：所述的第一P阱(3)和N阱(4)构成二极管D1，第二P阱(5)和N阱(4)构成二极管D2。
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