[发明专利]一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110559391.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113353980A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王振兴;姚雨雨;何军 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;H01L29/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 盛大文 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用，所述制备方法包括：以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料，进行化学气相沉积反应，制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片；所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3～9。本发明的制备方法工艺简单、反应速度快且成本低，制备得到的自插层钒基十五硫硒化八钒V |
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| 搜索关键词： | 一种 插层钒基 二维 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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