[发明专利]一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括：以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料，进行化学气相沉积反应，制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片；所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3～9。

2.根据权利要求1所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3。

3.根据权利要求1或2所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括：将所述硫粉和所述硒粉置于双温反应区的上游，将所述五氧化二钒置于所述双温反应区的下游，然后加热，进行化学气相沉积反应。

4.根据权利要求3所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述下游的加热温度为600～700℃，优选为640～670℃；优选的，所述上游的加热温度为170～300℃，优选为240～260℃；更优选的，所述反应的时间为20～45min，优选为30min。

5.根据权利要求1～4任一项所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，反应过程中通入氩气和氢气；优选的，所述氩气的流量为80～120sccm，优选为100sccm；所述氢气的流量为5～20sccm，优选为10sccm。

6.根据权利要求5所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述反应在大气压强条件下进行。

7.根据权利要求1～6任一项所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片的生长基底为蓝宝石基底；和/或，还包括在进行加热前，使用氩气对所述双温反应区进行清洗。

8.根据权利要求1～7任一项所述的自插层钒基二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括：将所述五氧化二钒置于反应容器内，然后将蓝宝石基底扣在所述反应容器上，再将所述反应容器放置于双温反应区的下游；将所述硫粉和硒粉进行混合，放于所述双温反应区的上游；然后加热进行化学气相沉积反应，冷却。

9.权利要求1～8任一项所述自插层钒基二维纳米片的制备方法制得的自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片。

10.权利要求9所述自插层钒基二维纳米片的应用，其特征在于，包括在场效应晶体管或自旋电子器件中的应用。