[发明专利]嵌埋式栅极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110530881.8 | 申请日： | 2021-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113284944B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种嵌埋式栅极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法，晶体管包括漏极外延层、位于顶层可割裂为源极金属垫与栅极金属垫的表面金属层以及位于漏极外延层中的嵌入式源极延伸倒鳍与栅极;栅极对准在源极延伸倒鳍上,栅极两侧各形成有成对由表面金属层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;利用嵌入式源极延伸倒鳍与栅极同槽不等区的设计,在台面区以外个别导通源极金属垫与栅极金属垫,避免了台面区需要设置接触孔。本发明提供的场效晶体管架构具有减小栅极沟槽间距以提高电子流密度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌埋式 栅极 接触 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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