[发明专利]动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质有效
| 申请号： | 202110523028.3 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113192829B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄清波;周雪梅;潘代强 | 申请（专利权）人： | 上海芯物科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质，方法包括以下步骤：以第n片晶片的抛光时间和第n片晶片的抛光速率对第n片晶片进行抛光；获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第n蝶形深度；根据第n片晶片的抛光时间和第n蝶形深度拟合获取第n+1次的抛光速率；获取第n蝶形深度与目标蝶形深度的第n差值；根据第n片晶片的抛光时间、第n差值和第n+1次的抛光速率确定第n+1片晶片的抛光时间；以第n+1片晶片的抛光时间和第n+1次的抛光速率对第n+1片晶片进行抛光，以实现平坦化的晶片的最大蝶形区域的蝶形深度与目标蝶形深度相同，避免抛光设备本身的误差，以及固定抛光时间带来的蝶形深度比目标蝶形深度深。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 调整 晶片 抛光 时间 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
