[发明专利]动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质

说明书

本发明公开了一种动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质，方法包括以下步骤：以第n片晶片的抛光时间和第n片晶片的抛光速率对第n片晶片进行抛光；获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第n蝶形深度；根据第n片晶片的抛光时间和第n蝶形深度拟合获取第n+1次的抛光速率；获取第n蝶形深度与目标蝶形深度的第n差值；根据第n片晶片的抛光时间、第n差值和第n+1次的抛光速率确定第n+1片晶片的抛光时间；以第n+1片晶片的抛光时间和第n+1次的抛光速率对第n+1片晶片进行抛光，以实现平坦化的晶片的最大蝶形区域的蝶形深度与目标蝶形深度相同，避免抛光设备本身的误差，以及固定抛光时间带来的蝶形深度比目标蝶形深度深。

技术领域

本发明实施例涉及半导体抛光技术领域，尤其涉及一种动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质。

背景技术

在背照式COMS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器制造工艺中，绑定晶片之前，需要对包括有金属层的氧化物层进行抛光工艺，使得包括有金属层的氧化物层的表面平坦化，其中，平坦化的程度直接相应后续绑定晶片间气泡的数量及大小，气泡的数量及大小直接影响COMS图像传感器晶片的产量，因此，抛光平坦化工艺尤其重要。

现有技术中，在背照式COMS图像传感器绑定晶片之前的抛光工艺中，通常是一次性沉积氧化物薄膜，然后通过抛光工艺一次研磨到工艺需求的厚度。但是这种工艺一方面沉积的氧化物薄膜偏厚，需要抛光工艺一次研磨量过多，最终的晶片表面的平整度降低；另一方面这种方法对于晶片内的蝶形凹陷修复能力偏弱，使得最终的晶片表面受前层蝶形区域的叠加影响较大。

发明内容

本发明提供一种动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质，以实现平坦化的晶片的最大蝶形区域的蝶形深度与目标蝶形深度相同，避免抛光设备本身的误差，以及固定抛光时间带来的蝶形深度比目标蝶形深度深。

为实现上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种动态调整晶片抛光时间的方法，包括以下步骤：

以第n片晶片的抛光时间和第n片晶片的抛光速率对第n片晶片进行抛光；

获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第n蝶形深度，所述第n蝶形深度为所述蝶形区域中心垂直指向第一平面的距离，所述第一平面为晶片中钝化层的上表面所在的平面；

根据所述第n片晶片的抛光时间和所述第n蝶形深度拟合获取第n+1次的抛光速率；

获取所述第n蝶形深度与目标蝶形深度的第n差值；

根据所述第n片晶片的抛光时间、所述第n差值和所述第n+1次的抛光速率确定第n+1片晶片的抛光时间；

以第n+1片晶片的抛光时间和第n+1次的抛光速率对第n+1片晶片进行抛光，其中，n≥1，n为正整数，每个晶片为同一系列的晶片。

根据本发明的一个实施例，根据所述第n片晶片的抛光时间、所述第n差值和所述第n+1次的抛光速率确定第n+1片晶片的抛光时间包括：

获取所述第n差值与所述第n+1次的抛光速率的比值；

所述第n+1片晶片的抛光时间等于所述第n片晶片的抛光时间与所述比值的和。

根据本发明的一个实施例，根据所述第n片晶片的抛光时间和所述第n蝶形深度拟合获取第n+1次的抛光速率包括：

所述第n+1次的抛光速率为所述第n蝶形深度与所述第n片晶片的抛光时间的比值。

根据本发明的一个实施例，在获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第n蝶形深度之前，还包括：

获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第一厚度；

获取第n片晶片的第二厚度；