[发明专利]一种电力电子用半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110522555.2 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113284940B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;潘敏智;孔梓玮 | 申请（专利权）人： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/822 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 614000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电力电子用半导体器件及其制作方法。该半导体器件包含第一半导体层；在所述第一半导体层上表面设有沟槽区域；包含若干沟槽；所述若干沟槽内均填充第一绝缘介质材料；排列方式为，沿远离器件有源区方向，沟槽的宽度递减，沟槽的间距递增，沟槽的深度逐渐变浅；所述沟槽区域下方设有终端扩展区；在远离器件有源区的边缘端设有截止环区域；所述第二介质层位于所述沟槽区域上侧；所述第一导电层位于所述第二介质层边缘上侧；所述第一导电层和所述截止环区域以及所述终端扩展区连接；所述阻挡层位于所述第二介质层上侧；所述钝化层位于所述阻挡层上侧并能够覆盖装置上表面。终端表面电场分布更加均匀，提高了装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电力 电子 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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