[发明专利]一种晶圆曝光方法在审
| 申请号： | 202110514601.4 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380607A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 姚楚豪;李海亮;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆曝光方法，包括：在清洁后的目标透明衬底的正面沉积挡光金属；对挡光金属进行刻蚀处理，刻蚀处理后的挡光金属形成了目标图案；在目标透明衬底的正面涂覆负性光刻胶，负性光刻胶覆盖在刻蚀处理后的挡光金属和目标透明衬底上；从目标透明衬底的背面对目标负性光刻胶进行曝光，目标负性光刻胶包括未被挡光金属遮挡的负性光刻胶。本申请不再依赖于传统的掩膜版，而是将挡光金属自身作为掩膜进行光刻，挡光金属紧密贴合在透明衬底上，不需要被曝光的负性光刻胶处于挡光金属的顶部，当光束接触到挡光金属的底部时就已经被阻挡，挡光金属的顶部的负性光刻胶就不会被曝光，进而可以将误差限定在更小的范围内，提高光刻的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
