[发明专利]—种核壳纳米锥阵列太阳能电池在审
申请号: | 202110495082.1 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113224185A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 张棕奕 | 申请(专利权)人: | 张棕奕 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供—种核壳纳米锥阵列太阳能电池,涉及太阳能电池、光电探测器技术领域。该—种核壳纳米锥阵列太阳能电池,包括硅衬底基板,所述硅衬底基板上以正方周期阵列化分布着磷化铟核芯纳米锥‑氧化锌包覆壳层的核壳纳米锥阵列,承接来自阵列上方照射的太阳光,实现光电能量转换。通过优化核壳纳米锥阵列结构,以实现①减小太阳光辐射在电池表面的反射损耗;②增加入射光在电池吸收层内的传输距离;③提高入射光在核芯材料中的共振耦合强度;④合理规划核壳分层使载流子易于传输、分离和收集。 | ||
搜索关键词: | 种核壳 纳米 阵列 太阳能电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的