[发明专利]一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件有效
| 申请号： | 202110493226.X | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113363319B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 杨伟锋;帅浩;张明昆 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 吴廷正 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常关型 氧化 mis hfet 器件 | ||
【主权项】：
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